RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
60
Intorno -114% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
28
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
17.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3379
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GTZR 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBD 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C14S4/16G 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
V-GEN D4H16GS24A8 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
AMD R948G2806U2S 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Mushkin MR[A/B]4U360JNNM8G 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link