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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
14.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
21
60
Intorno -186% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
21
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
18.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
14.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3380
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
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Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
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