RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
15.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
60
Intorno -100% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
30
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
18.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
15.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3792
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Mushkin MR[ABC]4U320GJJM8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Samsung M471B5273BH1-CF8 4GB
Samsung M471B5773CHS-CF8 2GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FDR1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link