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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
60
Intorno -107% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
29
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
16.0
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
12.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
3291
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
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Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWC 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3A1 16GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
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