RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
37
60
Intorno -62% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
37
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2591
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TN48G24S817-VHA/R 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
A-DATA Technology AO1P32MCST2-BZPS 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905630-048.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Apacer Technology GD2.1527WH.002 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FD2 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M391A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-19-19 D4-2666
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GVK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link