RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,168.2
11.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
60
Intorno -40% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
5300
Intorno 4.83 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
43
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
11.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
25600
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2864
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C16 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FADG 4GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Kingston ACR24D4S7S1MB-4 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAD11 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVK 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
SK Hynix V-GeN D4H8GL26A8TX5 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston ACR26D4U9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link