RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
13.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
60
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
6.5
2,168.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
24
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
6.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
1983
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVGB 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston XJ69DF-MIE2 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Kingston 9965600-027.A00G 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL16 8GB 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
G Skill Intl F4-2800C17-8GIS 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Corsair CMR32GX4M2A2666C16 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link