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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
57
60
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.4
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.6
2,168.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
57
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
9.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2170
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB Confronto tra le RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
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