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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB vs SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
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Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
9.2
4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.1
2,168.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
60
Velocità di lettura, GB/s
4,595.2
9.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,168.2
7.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
941
2136
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663DZ3-CE6 2GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVR 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Samsung V-GeN D4S4GL30A16TS5 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6J1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
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