RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
13.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
57
65
Intorno -14% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
6400
Intorno 4 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
57
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
16.8
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
25600
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2792
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818D-E6PRKWK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKW 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK128GX4M8A2400C14 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL30A8TX5 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston 99U5734-036.A00G 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link