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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
16.8
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.7
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
57
65
En -14% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
25600
6400
En 4 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
57
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
16.8
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
13.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
25600
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
2792
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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