RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
18.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
13.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
65
Intorno -195% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
22
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3265
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2400C10 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FN 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836181B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMD128GX4M8A2666C15 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link