RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Confronto
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
16.4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
73
Intorno -128% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.0
1,423.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
73
32
Velocità di lettura, GB/s
3,510.5
16.4
Velocità di scrittura, GB/s
1,423.3
13.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
476
3278
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905744-023.A00G 16GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Mushkin MRA4S320GJJM32G 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-4GRS 4GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3733C17 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Corsair CMU64GX4M4D3000C16 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GVK 32GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
UMAX Technology D4-2133-4GB-512X8-L 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link