RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Gesamtnote
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
16.4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
73
Rund um -128% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.0
1,423.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
5300
Rund um 4.02 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
73
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,510.5
16.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,423.3
13.0
Speicherbandbreite, mbps
5300
21300
Other
Beschreibung
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
476
3278
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB RAM-Vergleiche
Samsung M4 70T2864EH3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E3 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link