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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
11.1
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
65
Intorno -59% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
41
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
11.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2656
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
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