RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Confronto
PNY Electronics PNY 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Punteggio complessivo
PNY Electronics PNY 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
PNY Electronics PNY 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
36
Intorno 25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.4
7.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
10600
Intorno 1.81 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
PNY Electronics PNY 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
27
36
Velocità di lettura, GB/s
13.8
9.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.4
7.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
19200
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2274
1891
PNY Electronics PNY 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965426-130.A00LF 4GB
Carry Technology Co. Ltd. U3A2G73-13G9HE2B00 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7AFR8N-UH 4GB Confronto tra le RAM
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP2666CL16 8GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Corsair CMD32GX4M4A2666C15 8GB
Kingston 9965433-406.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4RL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Neo Forza NMUD480E86-3200 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
SK Hynix HMT451S6DFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link