RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
19.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
65
Intorno -150% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
26
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
19.1
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
15.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3876
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4000C19 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston MSI21D4S15HAG/8G 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Essencore Limited KD4AGU880-36A180U 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 9ASF51272AZ-2G3B1 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTCS 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link