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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
19.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
15.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
65
左右 -150% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
17000
6400
左右 2.66 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
26
读取速度,GB/s
4,806.8
19.1
写入速度,GB/s
2,784.6
15.9
内存带宽,mbps
6400
17000
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
3876
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RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
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Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Corsair CMK32GX4M2Z3600C18 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD1 4GB
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Corsair CMSX64GX4M4A2666C18 16GB
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