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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
比较
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
总分
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
总分
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
36
53
左右 32% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
15
10.1
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
10.3
8.0
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
19200
17000
左右 1.13 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
主要特点
存储器类型
DDR4
DDR4
PassMark中的延时,ns
36
53
读取速度,GB/s
15.0
10.1
写入速度,GB/s
10.3
8.0
内存带宽,mbps
17000
19200
Other
描述
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2569
2319
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB RAM的比较
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Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
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