RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
53
Около 32% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.3
8.0
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
53
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
10.1
Скорость записи, Гб/сек
10.3
8.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
2319
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMSX8GX4M2A2666C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSBK.8FBD 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905598-026.A00G 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMW64GX4M2D3000C16 32GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link