RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
53
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
53
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
10.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
8.0
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2319
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology HMP351S6AFR8C-S6 4GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZB 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBD 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
V-Color Technology Inc. TN48G26S819-SB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Corsair CMT32GX4M2Z3600C18 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link