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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
53
Por volta de 32% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
10.1
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
8.0
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
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Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
53
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
10.1
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
8.0
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2319
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
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