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Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
比较
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB vs Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
总分
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
总分
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
34
左右 24% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
14.1
10
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.5
6.2
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
报告一个错误
更高的内存带宽,mbps
17000
12800
左右 1.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
26
34
读取速度,GB/s
14.1
10.0
写入速度,GB/s
9.5
6.2
内存带宽,mbps
12800
17000
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
排名PassMark (越多越好)
2354
1693
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB RAM的比较
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Smart Modular SF4721G8CKHH6DFSDS 8GB RAM的比较
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905630-039.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBD2 8GB
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Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMSO4GX4M1A2133C15 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMD8GX4M2B4000C19 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M471A1G44BB0-CWE 8GB
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