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Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
比较
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB vs Kingston 9905711-002.A00G 4GB
总分
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
总分
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
23
27
左右 -17% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
16
13.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
11.3
8.6
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
10600
左右 2.01 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
27
23
读取速度,GB/s
13.2
16.0
写入速度,GB/s
8.6
11.3
内存带宽,mbps
10600
21300
Other
描述
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
2196
2371
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB RAM的比较
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
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Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-WM 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Transcend Information TS1GLK64V3H 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
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