RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
15.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
65
Intorno -110% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
31
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
17.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3713
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905625-029.A00G 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C15 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
Segnala un bug
×
Bug description
Source link