RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Porównaj
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.7
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
65
Wokół strony -110% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
65
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,806.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
2,784.6
15.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
932
3713
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-UH 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
King Tiger Technology TMKU8G868-240U 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D40BEEAK.M8FE1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.C8FE 4GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GFX 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link