RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Porównaj
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB vs SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Wynik ogólny
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
42
Wokół strony -11% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.8
10.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
9.0
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
10600
Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
42
38
Prędkość odczytu, GB/s
10.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
19200
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2423
2073
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170FH0-YH9 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Essencore Limited KD4AGS88C-32N220D 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Qimonda 64T128021EDL3SB2 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR1 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351U6CFR8C
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905599-020.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link