RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
17.4
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
18.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
65
Intorno -160% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
25
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
17.4
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
18.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
3731
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2133C13 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Mushkin MRA4S300GJJM16G 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMU32GX4M2C3333C16 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Essencore Limited IM48GU48N21-FFFHM 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
UMAX Technology D4-3200-16G-1024X8-L 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMWX8GD3600C18W2D 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G6H1 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GRS 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link