RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre el sitio
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Compara
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Puntuación global
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Puntuación global
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
17.4
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
18.3
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Informar de un error
Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
25
65
En -160% menor latencia
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
17000
6400
En 2.66 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR4
Latencia en PassMark, ns
65
25
Velocidad de lectura, GB/s
4,806.8
17.4
Velocidad de escritura, GB/s
2,784.6
18.3
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
17000
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
932
3731
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMK16GX4M4C3000C16 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CM4B8G7L2666A16K2-O 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Jinyu 16GB
Informar de un error
×
Bug description
Source link