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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Confronto
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,784.6
10.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
65
Intorno -86% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
65
35
Velocità di lettura, GB/s
4,806.8
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
2,784.6
10.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
932
2773
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry PSD41626D19P1 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CM4B8G2J3000K15K 8GB
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