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Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
比较
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB vs Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
总分
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
总分
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
4
15.2
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
2,784.6
10.7
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
35
65
左右 -86% 更低的延时
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
65
35
读取速度,GB/s
4,806.8
15.2
写入速度,GB/s
2,784.6
10.7
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
932
2773
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB RAM的比较
Samsung M3 78T5663FB3-CF7 2GB
AMD R332G1339U1S 2GB
Samsung M471A2K43DB1-CTD 16GB RAM的比较
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
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Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
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