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A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
比较
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
总分
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
总分
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
报告一个错误
更快的读取速度,GB/s
2
16.9
测试中的平均数值
需要考虑的原因
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
报告一个错误
低于PassMark测试中的延时,ns
26
66
左右 -154% 更低的延时
更快的写入速度,GB/s
14.5
1,557.9
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
21300
6400
左右 3.33 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
主要特点
存储器类型
DDR2
DDR4
PassMark中的延时,ns
66
26
读取速度,GB/s
2,775.5
16.9
写入速度,GB/s
1,557.9
14.5
内存带宽,mbps
6400
21300
Other
描述
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
时序/时钟速度
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
排名PassMark (越多越好)
382
3204
A-DATA Technology DQVE1908 512MB RAM的比较
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Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB RAM的比较
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A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
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Frequency (Mhz) *
calculate
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
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Kingston 9932301-P01.A00G 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3466C16 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CM4X16GC3000C16K8 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2E1 16GB
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