RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Comparez
A-DATA Technology DQVE1908 512MB vs Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Note globale
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Note globale
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
2
16.9
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
26
66
Autour de -154% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
14.5
1,557.9
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
21300
6400
Autour de 3.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR4
Latence dans PassMark, ns
66
26
Vitesse de lecture, GB/s
2,775.5
16.9
Vitesse d'écriture, GB/s
1,557.9
14.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
21300
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
382
3204
A-DATA Technology DQVE1908 512MB Comparaison des RAM
Qimonda ITC 1GB
Micron Technology 36HTS1G72FY667A1D4 8GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung SF4721G4CKHH6DFSDS 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston 9905624-013.A00G 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FBD 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link