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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Confronto
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
56
Intorno -65% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
1,501.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
4200
Intorno 4.05 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
56
34
Velocità di lettura, GB/s
3,161.0
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,501.2
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
4200
17000
Other
Descrizione
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
381
2910
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Confronto tra le RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
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Kingston 9905701-141.A00G 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
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