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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB vs Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Pontuação geral
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Pontuação geral
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
3
15.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
34
56
Por volta de -65% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.2
1,501.2
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
4200
Por volta de 4.05 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
56
34
Velocidade de leitura, GB/s
3,161.0
15.9
Velocidade de escrita, GB/s
1,501.2
12.2
Largura de banda de memória, mbps
4200
17000
Other
Descrição
PC2-4200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Tempos / Velocidade do relógio
4-4-4-12 / 533 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
381
2910
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB Comparações de RAM
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X4GF2400C14K4 4GB
Mushkin 99[2/7/4]199[F/T] 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
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Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Kingston KDK8NX-MIE 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C16 16GB
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Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTZR 8GB
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