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Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Confronto
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Punteggio complessivo
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
47
Intorno -81% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.7
2,021.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
26
Velocità di lettura, GB/s
3,575.4
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,021.5
8.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
563
2257
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB Confronto tra le RAM
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9965596-031.B00G 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
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