RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Vergleichen Sie
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB vs Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Gesamtnote
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Gesamtnote
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
3
12.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
26
47
Rund um -81% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.7
2,021.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
6400
Rund um 2.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
26
Lesegeschwindigkeit, GB/s
3,575.4
12.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,021.5
8.7
Speicherbandbreite, mbps
6400
17000
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
563
2257
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB RAM-Vergleiche
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP24D4S7S8MBP-8 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
SK Hynix HMT451U6AFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M8FB1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C16 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston XJV223-MIE-NX 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8JT 8GB
Mushkin 991586 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4B 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link