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Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Confronto
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Punteggio complessivo
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
52
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.0
1,906.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
52
30
Velocità di lettura, GB/s
4,672.4
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
1,906.4
15.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
698
3636
Samsung M3 91T2953GZ3-CF7 1GB Confronto tra le RAM
Samsung M3 91T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M3 78T2953GZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SK Hynix HMA82GS7AFR8N-UH 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston KHX2666C15/16GX 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Avant Technology W6451U66J9266ND 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CM4X16GE2933C19S2 16MB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Essencore Limited IM44GU48N26-GIIHA0 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Samsung M393A8K40B21-CTC 64GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
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