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Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Confronto
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB vs Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Punteggio complessivo
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
25
68
Intorno 63% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.1
8.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
13.4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR5
DDR4
Latenza in PassMark, ns
25
68
Velocità di lettura, GB/s
13.4
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.1
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
19200
Other
Descrizione
PC5-19200, 1.1V, CAS Supported: 22 26 28 30 32 36 40 42
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
no data / 2400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3419
2007
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB Confronto tra le RAM
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVR 4GB
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