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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
36
Intorno -57% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
23
Velocità di lettura, GB/s
15.0
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
12.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2963
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C14 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
AMD R748G2133U2S 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CWE 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
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