RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
39
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
14.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.3
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
39
Velocità di lettura, GB/s
15.0
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
11.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
25600
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
2771
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L18/16G 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMAA4GU6AJR8N
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Mushkin 991586 2GB
Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Transcend Information JM800QLU-2G 2GB
Crucial Technology RM25664AA800.16FH 2GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Nanya Technology M2F2G64CB88G7N-CG 2GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMH32GX4M4D3600C18 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link