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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
39
Por volta de 8% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
14.9
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
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Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
11.3
10.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
25600
17000
Por volta de 1.51 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
39
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
11.3
Largura de banda de memória, mbps
17000
25600
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
2771
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FN 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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