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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
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Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB vs Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Pontuação geral
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Pontuação geral
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
40
41
Por volta de 2% menor latência
Razões a considerar
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
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Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
13.1
12.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
8.7
7.8
Valor médio nos testes
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR3
Latência em PassMark, ns
40
41
Velocidade de leitura, GB/s
12.6
13.1
Velocidade de escrita, GB/s
7.8
8.7
Largura de banda de memória, mbps
12800
12800
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2209
2094
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB Comparações de RAM
Corsair CMZ16GX3M2A1600C9 8GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Samsung M378B5273CH0-CK0 4GB Comparações de RAM
Samsung M378B5173DB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-4000C19A 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
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