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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
36
Intorno -20% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.3
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
30
Velocità di lettura, GB/s
15.0
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3234
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK32GX4M1A2666C16 32GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965745-002.A00G 16GB
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