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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Comparez
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Note globale
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Note globale
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Différences
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Raisons de considérer
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Raisons de considérer
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
30
36
Autour de -20% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
15
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.3
10.3
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR4
DDR4
Latence dans PassMark, ns
36
30
Vitesse de lecture, GB/s
15.0
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
10.3
13.3
Largeur de bande de la mémoire, mbps
17000
17000
Other
Description
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2569
3234
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Wilk Elektronik S.A. GY2133D464L15S/8G 8GB
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