RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
36
Intorno -33% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
10.3
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
27
Velocità di lettura, GB/s
15.0
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
17000
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3399
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX3300C16D4/4GX 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.8FE 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G3A2 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link