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Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
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Motivi da considerare
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
36
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.4
15
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.3
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
24
Velocità di lettura, GB/s
15.0
18.4
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
14.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
21300
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
3158
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4L816GB2G82G83200 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
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