RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
36
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
15
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
10.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
18.4
Скорость записи, Гб/сек
10.3
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
3158
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2400C16 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CPB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSB.16FD 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FAD 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link