RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Confronto
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Punteggio complessivo
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
73
Intorno 51% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
14.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.3
7.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
36
73
Velocità di lettura, GB/s
15.0
14.9
Velocità di scrittura, GB/s
10.3
7.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
17000
19200
Other
Descrizione
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2569
1727
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905702-029.A00G 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Kingston HP32D4U8S8HD-8X 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3A1 32GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR32GX4M4C3000C15 8GB
Corsair CMX8GX3M2A1600C11 4GB
Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FARG 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link