RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Comparar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB vs V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Pontuação geral
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Pontuação geral
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
36
73
Por volta de 51% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
15
14.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
10.3
7.6
Valor médio nos testes
Razões a considerar
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Relatar um erro
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
17000
Por volta de 1.13 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR4
DDR4
Latência em PassMark, ns
36
73
Velocidade de leitura, GB/s
15.0
14.9
Velocidade de escrita, GB/s
10.3
7.6
Largura de banda de memória, mbps
17000
19200
Other
Descrição
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2569
1727
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
V-Color Technology Inc. TC48G24S817 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Essencore Limited KD48GS88A-26N1600 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSK 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston 9965600-005.A01G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Samsung M474A2K43BB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G6672 2GB
Kingston 9965669-031.A00G 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FD 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
A-DATA Technology AO2P32NC8W1-BD3SHC 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link