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Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Confronto
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB vs Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
36
Intorno 8% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
19200
Intorno 1.11% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
12.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
33
36
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.1
Velocità di scrittura, GB/s
12.1
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
19200
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2947
2871
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB Confronto tra le RAM
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A2400C16 16GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT351S6CFR8A
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SK Hynix HMT351R7BFR8A-H9 4GB
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